我们利用密度泛函理论和玻尔兹曼输运理论研究了三维（2D）XI2（x=Ge，Sn，Pb）双层膜的热输运和电子输运性质以及热电（TE）性能。我们比较了electrical　conductivity、Seebeck　coefficient和无量纲优值（ZT）for　the　XI2单层和双层的晶格热导率。结果表明，双层膜在室温下的晶格热导率低至～1.1W·m－1·K－1－1．7·m－1·K－1　是　关于　1．6　时代　像　大的　像　这个　单层　对于　全部的　这个　三　材料。电子结构计算表明，所有XI2双层膜都是间接带隙半导体，在PBE水平下的带隙值在1.84到1.96 EV之间，这　是　相像的　像　这个　符合的　单层膜　计算　后果　属于　zt　显示　那个　这个　双层　结构　陈列　很　较少的　方向相关　te　效率　和　有　很　更大的　n型　zt　价值观　相比　具有　这个　单层膜　戏剧性的　差别　之间　这个　单层　和　双层　表明　那个　这个　层间　相互作用　演奏　一　重要的　角色　在里面　这个　te　表演　属于　xi2，哪个　提供　这个　可调性　在…上　他们的　te　特征。